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首頁-成功案例-25年04月03日河南半導體電感耦合等離子體光譜儀Agilent ICP-OES 5110,分析痕量元素

25年04月03日河南半導體電感耦合等離子體光譜儀Agilent ICP-OES 5110,分析痕量元素

發布時間:2025-4-7

合作伙伴:河南某半導體材料行業

儀器類型:電感耦合等離子體光譜儀

品牌:安捷倫

型號:ICP-OES 5110

2025年04月03日, 河南某半導體材料行業客戶成功采購我司電感耦合等離子體光譜儀安捷倫/Agilent 5110VDV ICP-OES儀器!從設備安裝到參數調試全程專業護航,更為客戶團隊提供定制化操作培訓。感恩客戶對我司技術實力的信賴與認可!

 

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在半導體材料行業中,安捷倫Agilent  ICP-OES 5110儀器具有廣泛的應用,以下是其在該行業的應用、技術規格以及相關標準的詳細信息:

應用場景

半導體制造:Agilent  ICP-OES 5110可用于監測清洗和蝕刻硅片過程中使用的化學品中的痕量污染物。這對于確保半導體制造過程中的純度和質量至關重要,因為即使是微量的雜質也可能影響半導體器件的性能和可靠性。

晶圓加工:該儀器還可用于監測晶圓/IC制造過程中使用的化學品中的污染物。這有助于及時發現并控制可能影響半導體制造質量的雜質,從而提高產品的良品率。

金屬污染評估:Agilent 5110 VDV ICP-OES能夠評估硅片襯底及用于硅的相關層和涂層中的金屬污染。這對于半導體材料的研發和生產過程中的質量控制具有重要意義,因為金屬污染可能會影響半導體器件的電學性能。

納米顆粒分析:該儀器還可以用于化學品以及晶圓加工和清潔浴槽中的金屬納米顆粒(NP)分析。這對于研究和控制納米顆粒在半導體制造過程中的分布和影響具有重要作用。


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Agilent  ICP-OES 5110 技術規格

垂直雙向觀測(VDV):Agilent  ICP-OES 5110采用垂直雙向觀測技術,能夠實現更高的測量通量和分析效率。這種設計使得儀器在測量包括高基質和揮發性有機溶劑在內的復雜樣品時具有更好的性能。

固態RF發生器系統:該儀器配備了穩定的固態RF發生器系統,可以提供穩定的等離子體,確保長期穩定的分析性能。這對于半導體材料分析中對高精度和高重復性的要求非常重要。

檢測器冷卻:檢測器采用半導體制冷,溫度可達-40℃,暗電流和背景噪聲低。這種設計提高了檢測器的靈敏度和穩定性,從而提高了分析結果的準確性和可靠性。

多重檢量限(Multical)功能:儀器具有多重檢量限功能,可以根據不同的元素含量范圍選擇不同的譜線,使儀器能夠同時測定高低含量的元素,擴展了儀器的動態線性范圍。

長期穩定性:Agilent  ICP-OES 5110具有良好的長期穩定性,8小時內RSD≤1%,短期穩定性RSD≤0.5%。這種穩定性對于半導體材料的長期分析和質量控制至關重要。


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行業標準

半導體材料分析標準:在半導體材料行業中,ICP-OES儀器通常需要符合相關的行業標準,如SEMI(國際半導體產業協會)標準。這些標準規定了半導體材料中雜質元素的檢測限、準確度和精密度等要求。

檢測限和靈敏度:對于半導體材料中的痕量元素分析,ICP-OES儀器需要具備低檢測限和高靈敏度。Agilent  ICP-OES 5110能夠滿足這些要求,檢測限一般為幾個ppb,可測量的濃度范圍可高達幾十ppm。

分析效率和速度:半導體制造過程中對分析效率和速度有較高要求。Agilent  ICP-OES 5110的垂直雙向觀測技術和智能光譜組合(DSC)技術能夠實現快速的樣品分析,提高生產效率。


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安捷倫Agilent  ICP-OES 5110儀器憑借其技術規格和廣泛的應用場景,在半導體材料行業中發揮著重要作用。它能夠滿足半導體制造過程中對高精度、高靈敏度和高效率的分析需求,為半導體材料的質量控制和研發提供了有力支持。


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