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HMDS基片預處理系統-真空鍍膜機
一·應用領域
HMDS基片預處理系統主要適用于硅片、砷化鎵、陶瓷、不銹鋼、鈮酸鋰、玻璃、藍寶石、晶圓等材料,為基片在涂膠前改善表面活性,增加光刻膠與基底的粘附力的專用設備,也可用于晶片其它工藝的清洗,尤其在芯片研發和生產領域應用更加普及。
二. 滿足標準
1、GB/T 29251-2012真空干燥箱
2、GB/T 11164-2011真空鍍膜設備通用技術條件
3、JB/T 6922-2015 真空蒸發鍍膜設備
4、SJ/T 11185-1998 蒸發鍍膜設備通用規范
5、SJ/T 31083-2016 真空鍍膜設備完好要求和檢查評定方法
三. 應用背景
在半導體(芯片/集成電路)生產工藝中,光刻是集成電路圖形轉移重要的一個工藝環節,涂膠質量直接影響到光刻的質量,涂膠工藝也顯得尤為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數光刻膠是疏水的,而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的,這造成光刻膠和硅片的黏合性較差,尤其是正膠,顯影時顯影液會侵入光刻膠和硅片的連接處,容易造成漂條、浮膠,等現象,導致光刻圖形轉移的失敗,同時濕法腐蝕容易發生側向腐蝕。通過HMDS預處理系統預處理后,使基片表面涂布一層硅氧烷為主體的化合物,可以完全改善以上各種狀況,從而大大提高了產品質量,降低次品率。
四. 工作原理
設備為PLC工控全自動運行,通過高溫烘烤基片,去除其表面的水分,充入HMDS(六甲基二硅氮烷C6H19NSi2)氣體,在高溫作用下,基片表面和HMDS充分融合反應,生成以硅氧烷為主體的化合物,使基片表面由親水變為疏水,其疏水基可很好地與光刻膠結合,起著偶聯劑的作用。
五. 使用流程
啟動真空泵使腔體內達到設定真空值,待腔內真空度達到某一高真空后,開始沖入氮氣,然后再進行真空操作,再次充入氮氣,經過反復真空充氮,可提高箱體內潔凈度,開始保持一段時間,使硅片充分受熱,減少硅片表面的水分,然后再次開始抽真空,沖入HMDS氣體,在達到設定時間后停止充入,進入保持階段,使硅片充分與HMDS反應。當保持時間達到設定值后,再次開始抽真空,沖入氮氣,完成整個作業過程。
六.技術參數
HMDS基片預處理系統-真空鍍膜機
型號 |
DS-HMDS-50 |
DS-HMDS-90 |
DS-HMDS-210 |
DS-HMDS-250 |
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控制系統 |
微電腦集成控制 |
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溫度范圍 |
RT+10~200℃ |
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溫度波動度 |
≤±0.5℃ |
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溫度分辨率 |
0.1℃ |
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可達真空度 |
≤133pa |
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觀測窗 |
內層加厚鋼化玻璃,外層高透亞克力 |
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真空度 |
數顯 |
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真空泵 |
2XZ-2B |
2XZ-4B |
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循環方式 |
對流循環 |
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電源電壓 |
AC220V/50Hz |
AC380V/50Hz |
|||||
內膽尺寸 |
410x370x345 |
450x450x450 |
560x640x600 |
600x600x700 |
|||
外形尺寸 |
820x550x1285 |
860x630x1470 |
980x820x1750 |
1000x800x1850 |
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定時范圍 |
1~9999min |
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運行方式 |
定值運行 定時運行 |
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附加功能 |
斷電記憶 傳感器偏差修正 自整定 內參鎖止 |
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容積 |
52L |
91L |
215L |
252L |
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功率 |
1.65KW |
2.65KW |
3.6KW |
4KW |
七·產品亮點
1、控制采用PLC工控自動化系統,人機界面采用觸摸屏,具有可靠性高,操作方便、直觀等特點.
2、超大觀測窗,外層采用透光度99%的亞克力板,內層采用高強度鋼化玻璃,全程可視化監測。
3、內膽采用防腐防酸堿不銹鋼,四角圓弧設計,易清潔。
4、去水烘烤和增粘(疏水)處理一機完成,無需轉移,有效規避HMDS(六甲基二硅氮烷C6H19NSi2)泄露的危險。
5、處理更加均勻。由于它是以蒸汽的形式涂布到基片表面上,所以比液態涂布更均勻。
6、效率高。液態涂布是單片操作,而本系統一次可以處理多達4~20盒的晶片。
7、更加節省藥液。以蒸汽的形式涂布到晶片表面上,一次可以處理多達4~20盒的晶片,更加節省藥液;
8、更加環保和安全,HMDS是有毒化學藥品,人吸入后會出現反胃、嘔吐、腹痛、刺激胸部、呼吸道等,由于整個過程是在密閉的環境下完成的,所以人接觸不到藥液及其蒸汽,也就更加安全,它的尾氣是直接由機械泵抽到尾氣處理機,降低對環境的污染。
八.安全保護
1、超溫報警 2、過流過載保護 3、快速熔斷器 4、接地保護 5、缺相保護 6、漏電保護器
九· 特別注意
1、HMDS基片預處理系統測試條件:空載、無強磁、無震動、環境溫度20℃、環境相對濕度50%RH。
2、本公司可根據客戶不同需要,設計,制造各種相關溫度、濕度、真空度、潔凈度、氣體濃度等參數的箱體設備。
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